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      金剛石基GaN技術(shù)解決熱管理散熱難題

      金剛石基GaN技術(shù)解決熱管理散熱難題

      在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,電子器件的性能提升備受關(guān)注,而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。氮化鎵(GaN)...

      日期 2025-03-25   
      深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長(zhǎng)、鈍化生長(zhǎng)

      深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長(zhǎng)、鈍化生長(zhǎng)

      在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不...

      日期 2025-01-16   

      金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)

      金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)
      金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)
      金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù):突破與挑戰(zhàn)

      在半導(dǎo)體技術(shù)的前沿領(lǐng)域,金剛石/GaN異質(zhì)外延技術(shù)正受到廣泛關(guān)注。異質(zhì)外延技術(shù)通常需要在外延表面沉積緩沖層,包括金剛石異質(zhì)外延GaN技術(shù)和GaN底面異質(zhì)外延金剛石技術(shù)。...

      日期 2024-10-25   

      金剛石/GaN鍵合技術(shù)大解密!

      金剛石/GaN鍵合技術(shù)大解密!
      金剛石/GaN鍵合技術(shù)大解密!
      金剛石/GaN鍵合技術(shù)大解密!

      目前,金剛石與GaN功率器件的集成通常從兩方面進(jìn)行,一是GaN頂部的器件層散熱,主要應(yīng)用金剛石鈍化散熱技術(shù),金剛石鈍化散熱是直接在器件頂部沉積金剛石,提高熱點(diǎn)頂部的熱擴(kuò)...

      日期 2024-10-23   

      從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術(shù)該往何處發(fā)展?

      從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術(shù)該往何處發(fā)展?
      從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術(shù)該往何處發(fā)展?
      從SiC到GaN,硬脆材料激光剝離技術(shù)該往何處發(fā)展?

      透明硬脆材料由于其出色的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、抗腐蝕性以及優(yōu)良的光電性能,已被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和電子器件制造領(lǐng)域。然而,傳統(tǒng)的切片工藝,如金剛線切割,存在效率低、材料浪費(fèi)...

      日期 2024-10-17   

      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍
      金剛石基板上的GaN晶體管,散熱性能提高2.3倍

      氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。金剛石具有極高的導(dǎo)熱率,有望作為半導(dǎo)體元件的散熱...

      日期 2023-12-21   

      『研究』金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN

      『研究』金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
      『研究』金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
      『研究』金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

      材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能,...

      日期 2023-06-21   

      這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

      這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
      這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN
      這項(xiàng)拋光技術(shù)獲獎(jiǎng),可用于SiC和GaN

      在“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國(guó)際展示場(chǎng))上,首次舉辦了“學(xué)術(shù)獎(jiǎng)”,以表彰有前途的大學(xué)/研究生院半導(dǎo)體研究。最高獎(jiǎng)?lì)C發(fā)給大...

      日期 2023-01-09   
      “一種GaN與金剛石復(fù)合散熱結(jié)構(gòu)的制備方法”獲黑龍江省專利金獎(jiǎng)

      “一種GaN與金剛石復(fù)合散熱結(jié)構(gòu)的制備方法”獲黑龍江省專利金獎(jiǎng)

      近日,黑龍江省政府印發(fā)《黑龍江省人民政府關(guān)于第一屆黑龍江省專利獎(jiǎng)授獎(jiǎng)的決定》(黑政發(fā)〔2022〕24號(hào)),授予“...

      日期 2022-10-10   
      日本大阪市立大學(xué)等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

      日本大阪市立大學(xué)等成功制造金剛石鍵合GaN晶體管

      近日,大阪市立大學(xué)(OsakaCityUniversity)、東北大學(xué)、AirWater通過對(duì)金剛石鍵合的氮化鎵...

      金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

      金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
      金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!
      金剛石寬禁帶半導(dǎo)體帶來的革命性變革:金剛石基GaN!

      材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優(yōu)越性能,...

      日期 2022-03-28   
      全球首款多單元結(jié)構(gòu)金剛石基GaN HEMT發(fā)布

      全球首款多單元結(jié)構(gòu)金剛石基GaN HEMT發(fā)布

      據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,三菱電機(jī)(MitsubishiElectric)宣布與美國(guó)國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)與技術(shù)研究所(AIS...

      日期 2019-09-06   

      盤點(diǎn)金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進(jìn)程

      盤點(diǎn)金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進(jìn)程
      盤點(diǎn)金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進(jìn)程
      盤點(diǎn)金剛石襯底GaN基微波功率器件研究進(jìn)程

      2006年,美國(guó)Cree公司的Wu等人研制的GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT),4GHz時(shí)的輸出功率密度達(dá)到41.4W/mm。近十多年來,氮化鎵(GaN)的研究熱潮...

      日期 2019-08-29   

      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能
      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能
      日本防務(wù)省資助富士通公司研究金剛石和碳化硅襯底散熱技術(shù),將顯著提高GaN HEMT性能

      12月6日至9日美國(guó)加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會(huì)議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司(FujitsuLaboratoriesLt...

      日期 2017-12-22   
      一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

      一種金剛石熱沉襯底GaNHEMTs制備方法

      申請(qǐng)?zhí)枺?01611084413.8申請(qǐng)人:陜西科技大學(xué)發(fā)明人:王進(jìn)軍摘要:本發(fā)明公開了一種金剛石熱沉襯底GaN...

      日期 2017-03-29   
      新發(fā)現(xiàn)—GaN硬度超鉆石

      新發(fā)現(xiàn)—GaN硬度超鉆石

      目前,氮化鎵(GaN)已成為最重要、最廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。其光電性能和機(jī)械性能使其成為多種應(yīng)用的理想選擇,...

      日期 2016-11-11   
      一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法

      一種金剛石熱沉GaN基LED制作方法

      申請(qǐng)?zhí)枺?01610172206.1申請(qǐng)人:陜西科技大學(xué)發(fā)明人:王進(jìn)軍摘要:本發(fā)明提供一種金剛石熱沉GaN基LE...

      日期 2016-08-24   
        共 17 條記錄

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      中國(guó)超硬材料網(wǎng)將通過一件件大事件回顧2023年的超硬材料行業(yè)華麗蝶變,在回顧和盤點(diǎn)中,溫故知新!

      第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石產(chǎn)業(yè)大會(huì)

      第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)暨2023金剛石...

      2023年9月20日,時(shí)隔四年,期待已久的第六屆磨料磨具磨削展覽會(huì)在鄭州國(guó)際會(huì)展中心隆重開幕。本次展覽會(huì)由中國(guó)機(jī)械工業(yè)集團(tuán)有限公司、國(guó)機(jī)精工股份有限公司、中國(guó)機(jī)械國(guó)際合作股份有限公司聯(lián)合主辦。旨在推動(dòng)中國(guó)磨料磨具行業(yè)的快速發(fā)展,加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的交流與合作。

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