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       9月26日，日本產業技術綜合研究所（產總研）旗下的EDP公司宣布，公司已成功開發出一種高濃度硼的大尺寸金剛石襯底，并可立即提供產品。與SiC和GaN相比，金剛石半導體具有優越的特性，全球范圍內的設備開發正在推進。在這樣的市場背景下，該公司于2023年8月推出了高濃度硼摻雜的金剛石、自支撐襯底的低電阻襯底以及在其上形成薄膜的外延生長襯底。然而，7mm×7mm的小尺寸難以滿足大功率控制的大型器件開發和在單一基板上制造多個設備的需求。

       左側是RB10102PP（10mm×10mm×0.2mm的低電阻基底，兩面拋光），右側是低電阻最小晶片（資料來源：EDP）

       與碳化硅和氮化鎵相比，金剛石半導體具有更優越的特性，全世界都在推動相關器件的開發。基于這一市場背景，該公司于2023 年 8月推出了摻有高濃度硼的金剛石和外延生長基板，在獨立的低電阻基板和普通基板上形成了薄膜，但形狀較小，只有7 毫米 x 7 毫米，因此難以開發控制高功率的大型器件，也難以在一個基板上開發多個器件。

       因此，在2023年11月，該公司開發了15mm×15mm的單晶，開始作為籽晶和基板進行銷售。這次他們利用該單晶擴大了低電阻基板的面積，并成功實現了商業化。新產品基本特性與2023年8月商業化的低電阻金剛石基板相同，硼含量為2～4×1020/cm3。基板邊長2～13mm，可制作圓形晶圓，因此可生產直徑為12.5mm的晶圓。

       該公司稱將繼續致力于進一步增大單晶體的尺寸，還將致力于增大與大型單晶體相連的鑲嵌晶片的尺寸。此外，隨著設備開發的進展，預計將需要具有各種外延薄膜的襯底，公司將擴大外延襯底的范圍，并開發可促進量子設備開發的襯底。