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        幾十年來，摻雜金剛石電極因其優異的物理和電化學性能而備受關注。然而，直到現在還沒有對金剛石表面摻雜劑效應的直接實驗觀察的報道。近日，日本理化學研究所Yousoo Kim等報道了通過低溫掃描隧道顯微鏡研究（100）和（111）取向的摻硼金剛石（BDD）電極的原子級形態和電子結構。

        本文要點：

        1）幾納米的石墨化區域顯示出硼摻雜劑對BDD表面具有明顯影響。

        2）通過第一性原理計算證實，局部狀態密度測量揭示的這些特征的電子結構以由硼相關的晶格變形引起的帶隙狀態為特征。

        3）在BDD (111)中獨特地觀察到與摻雜劑相關的石墨化，這解釋了其在(100)面的電化學優勢。

       該工作報道的結果提供了關于摻雜劑在調節金剛石以及可能的其它功能性摻雜材料的電導率中的作用的原子級信息。

        Francesca Celine I. Catalan, et al. Localized Graphitization on Diamond Surface as a Manifestation of Dopants. Adv. Mater., 2021

        DOI: 10.1002/adma.202103250

        https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202103250